AIN陶瓷具有高熱導率(理論熱導率為320W-m-1.K-1)、高電絕緣性(體電阻率>1016Q.m-1)、低介電常數(shù)(約為8.0)、與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)、良好的機械加工性能、無毒等優(yōu)異的物理化學性能，被視為先進集成電路、半導體模塊電路和大功率器件理想的絕緣基片及封裝材料[1~3]. 要制備成本低、性能優(yōu)良的AIN陶瓷，關(guān)鍵環(huán)節(jié)是合成低成本、高純度、低氧含量、粒度細小的AIN原料粉體.目前，AIN 粉體的合成主要采用Al2O3碳熱還原法、鋁粉直接氮化法或自蔓延高溫合成法，但都存在一定的局限性[4.低成本、高效率的AIN粉體合成方法是非常有價值的研究方向。此外，AIN 是強共價鍵化合物，較難致密燒結(jié)，通常燒結(jié)前需要添加燒結(jié)助劑(如Y2O3、CaO、CaF2等),以實現(xiàn)液相燒結(jié)機制，有效促進致密化，同時提高產(chǎn)品的熱導性能。

粉體燒結(jié)加熱技術(shù)是鳳谷節(jié)能于2009年發(fā)明的， 具有工藝簡單、能耗小、效率高、成本低等優(yōu)點、利用粉體加熱技術(shù)直接合成復合AIN粉體的技術(shù)方案[101, 同時考慮了粉體產(chǎn)品的質(zhì)量和后續(xù)陶瓷燒結(jié)工藝.一方面直接用母合金的氮化反應，避開了雜質(zhì)氧源，因而能夠合成低氧含量的AIN粉體;另一方面，在反應過程中-步合成含燒結(jié)助劑的復合AIN粉體，可以省去后續(xù)的燒結(jié)助劑配料混合過程，這樣既避免了混料過程中氧的帶入，又實了AIN粉體與燒結(jié)助劑均勻混合，有利于燒結(jié)工藝和AIN陶瓷性能的提高，本文首次采用此技術(shù)，以Al-Mg-Y合金為母合金，獲得了含燒結(jié)助劑Y2O3的高純度的復合AIN粉體。